2N65L UMW
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2N65L

Descripción del producto

13002279

Número de pieza

2N65L-DG

Fabricante

UMW
2N65L

Descripción

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET

Inventario

8800 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 650 V 2A (Tj) Surface Mount TO-252 (DPAK)
FETs individuales, MOSFETs
2N65L Hoja de datos
Cantidad
Mínimo 1

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  • 5000 0.2400 1200.4600
  • 12500 0.2400 2984.3000
  • 25000 0.2200 5557.7200
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2N65L Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante UMW

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie UMW

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 2A (Tj)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 5.5Ohm @ 1A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 14.5 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 311 pF @ 25 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) -

Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor TO-252 (DPAK)

Paquete / Caja TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Descargar 2N65L Especificaciones del producto (PDF)
Hoja de datos HTML

2N65L-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
4518-2N65LCT
4518-2N65LTR
4518-2N65LDKR
Certificación DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
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ASA Certificate
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UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
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