SI9926CDY-T1-E3 Vishay Siliconix
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SI9926CDY-T1-E3

Descripción del producto

12786811

Número de pieza

SI9926CDY-T1-E3-DG
SI9926CDY-T1-E3

Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC

Inventario

20100 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Cantidad
Mínimo 1

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SI9926CDY-T1-E3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante Vishay

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET®

Estado del producto Active

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Configuración 2 N-Channel (Dual)

Función FET Logic Level Gate

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 8A

rds activados (máx.) @ id, vgs 18mOhm @ 8.3A, 4.5V

vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 33nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 1200pF @ 10V

Potencia - Máx. 3.1W

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete / Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivos del proveedor 8-SOIC

Número de producto base SI9926

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SI9926CDY

Hoja de datos HTML

SI9926CDY-T1-E3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI9926CDY-T1-E3-DG
SI9926CDY-T1-E3CT
SI9926CDY-T1-E3TR
SI9926CDY-T1-E3DKR
Certificación DIGI
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