SIS472BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIS472BDN-T1-GE3

Descripción del producto

13277364

Número de pieza

SIS472BDN-T1-GE3-DG
SIS472BDN-T1-GE3

Descripción

MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK

Inventario

12700 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 30 V 15.3A (Ta), 38.3A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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  • 6000 0.1800 1104.6200
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SIS472BDN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET® Gen IV

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 15.3A (Ta), 38.3A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 7.5mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 21.5 nC @ 10 V

Vgs (máx.) +20V, -16V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 1000 pF @ 15 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PowerPAK® 1212-8

Paquete / Caja PowerPAK® 1212-8

Número de producto base SIS472

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SIS472BDN

Hoja de datos HTML

SIS472BDN-T1-GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SIS472BDN-T1-GE3TR
742-SIS472BDN-T1-GE3CT
742-SIS472BDN-T1-GE3DKR
Certificación DIGI
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