SISH112DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (123 Calificaciones)

SISH112DN-T1-GE3

Descripción del producto

12785972

Número de pieza

SISH112DN-T1-GE3-DG
SISH112DN-T1-GE3

Descripción

MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK

Inventario

9176 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 30 V 11.3A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Cantidad
Mínimo 1

Compra e consulta

RFQ (Solicitud de Cotizaciones)

Puedes enviar tu consulta de RFQ directamente en la página de detalles del producto o en la página de RFQ. Nuestro equipo de ventas responderá a tu solicitud dentro de 24 horas.

Método de pago

Ofrecemos varios métodos de pago convenientes, incluyendo PayPal (recomendado para nuevos clientes), tarjetas de crédito y transferencias bancarias (T/T) en USD, EUR, HKD y otros.

AVISO IMPORTANTE

Después de enviar la solicitud de cotización (RFQ), recibirás un correo electrónico en tu bandeja de entrada sobre la recepción de tu consulta. Si no lo recibes, nuestra dirección de correo electrónico puede haber sido identificada incorrectamente como spam. Por favor, revisa tu carpeta de spam y agrega nuestra dirección de correo electrónico [email protected] a tu lista blanca para asegurarte de recibir nuestra cotización. Debido a la posibilidad de fluctuaciones en el inventario y los precios, nuestro equipo de ventas necesita reconfirmar tu consulta o pedido y enviarte cualquier actualización por correo electrónico de manera oportuna. Si tienes alguna otra pregunta o necesitas ayuda adicional, no dudes en hacérnoslo saber.

En stock (Todos los precios son en USD)
  • CANT Precio objetivo Precio Total
  • 3000 0.5600 1671.7500
  • 6000 0.5100 3082.6600
  • 9000 0.5100 4604.4300
Mejor precio mediante Solicitud de Cotización en Línea
Solicitar Cotización(Envía mañana)
Cantidad
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

SISH112DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET®

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 11.3A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 7.5mOhm @ 17.8A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 27 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.) ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 2610 pF @ 15 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 1.5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PowerPAK® 1212-8SH

Paquete / Caja PowerPAK® 1212-8SH

Número de producto base SISH112

Hoja de Datos y Documentos

Hoja de datos HTML

SISH112DN-T1-GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SISH112DN-T1-GE3-DG
742-SISH112DN-T1-GE3TR
SISH112DN-T1-GE3CT
SISH112DN-T1-GE3DKR-DG
SISH112DN-T1-GE3TR
742-SISH112DN-T1-GE3CT
742-SISH112DN-T1-GE3DKR
SISH112DN-T1-GE3CT-DG
SISH112DN-T1-GE3DKR
SISH112DN-T1-GE3TR-DG
Certificación DIGI
Blogs y Publicaciones