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AONR32320C
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 9.5A/12A 8DFN
2824 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 30 V 9.5A (Ta), 12A (Tc) 3.1W (Ta), 11W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
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AONR32320C Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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AONR32320C

Descripción del producto

13270507

Número de pieza

AONR32320C-DG
AONR32320C

Descripción

MOSFET N-CH 30V 9.5A/12A 8DFN

Inventario

2824 Pcs Nuevos Originales En Stock
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AONR32320C Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Embalaje Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Serie -

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 9.5A (Ta), 12A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 21mOhm @ 9.5A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 650 pF @ 15 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 3.1W (Ta), 11W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor 8-DFN-EP (3x3)

Paquete / Caja 8-PowerVDFN

Número de producto base AONR32320

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

AONR32320C

Hoja de datos HTML

AONR32320C-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
785-AONR32320CDKR
785-AONR32320CCT
5202-AONR32320CTR
785-AONR32320CTR

Piezas alternativas

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
AON7410
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
250151
AON7410-DG
0.0836
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AON7408
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
35252
AON7408-DG
0.0836
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1102
AON7468-DG
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características del MOSFET N-Channel AONR32320C?

El AONR32320C es un MOSFET de canal N capaz de soportar hasta 30V y 12A de corriente a Tc, con una baja resistencia Rds On (21mΩ a 10V) y un compacto encapsulado en paquete de montaje superficial 8-DFN-EP, adecuado para aplicaciones de alta eficiencia.

¿Es adecuado el MOSFET AONR32320C para entornos de altas temperaturas?

Sí, este MOSFET funciona eficientemente en un rango de temperatura de -55°C a 150°C, lo que lo hace apto para diversas aplicaciones electrónicas exigentes.

¿Por qué el AONR32320C es una buena opción para proyectos de conmutación de potencia?

Su baja resistencia Rds On, alta disipación de potencia (hasta 11W a Tc) y carga rápida de puerta (20nC) permiten una conmutación eficiente de energía, reduciendo el calor y las pérdidas energéticas en tu diseño.

¿Es compatible el AONR32320C con procesos estándar de ensamblaje superficial?

Sí, este dispositivo cuenta con un paquete de montaje superficial 8-DFN, diseñado para una integración fácil y confiable en ensamblajes de PCB de montaje superficial con una huella compacta de 3x3 mm.

¿Cumple el AONR32320C con normas ambientales y de seguridad?

El MOSFET cumple con RoHS3, no afecta REACH y tiene un nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) de 1, garantizando un uso seguro y respetuoso con el medio ambiente en tus productos electrónicos.

Aseguramiento de Calidad (QC)

DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.

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Prevención de falsificaciones y defectos

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