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BSZ042N06NSATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
1636 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 60 V 17A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
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BSZ042N06NSATMA1

Descripción del producto

12799633

Número de pieza

BSZ042N06NSATMA1-DG
BSZ042N06NSATMA1

Descripción

MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON

Inventario

1636 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 60 V 17A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
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BSZ042N06NSATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Embalaje Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Serie OptiMOS™

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 17A (Ta), 40A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 6V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 36µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 27 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 2000 pF @ 30 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 2.1W (Ta), 69W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PG-TSDSON-8-FL

Paquete / Caja 8-PowerTDFN

Número de producto base BSZ042

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

BSZ042N06NS

Hoja de datos HTML

BSZ042N06NSATMA1-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSZ042N06NSCT-DG
BSZ042N06NSATMA1CT
BSZ042N06NSTR
BSZ042N06NS-DG
BSZ042N06NSATMA1DKR
2156-BSZ042N06NSATMA1TR
SP000917418
BSZ042N06NS
BSZ042N06NSDKR
BSZ042N06NSATMA1TR
BSZ042N06NSTR-DG
BSZ042N06NSCT
BSZ042N06NSDKR-DG

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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características del transistor MOSFET Infineon BSZ042N06NSATMA1?

El BSZ042N06NSATMA1 es un transistor MOSFET de canal N con una tensión de drenaje a fuente de 60 V, capaz de soportar corrientes de 17 A (Ta) y 40 A (Tc). Está diseñado para ofrecer alta eficiencia en aplicaciones de montaje superficial. Cuenta con bajo Rds On y alta disipación de potencia, lo que lo hace adecuado para necesidades de conmutación de potencia.

¿El transistor MOSFET Infineon BSZ042N06NSATMA1 es compatible con dispositivos electrónicos estándar?

Sí, este MOSFET es compatible con diversos dispositivos electrónicos que requieren conmutación de alta corriente, especialmente aquellos diseñados para circuitos de alimentación a 60 V, gracias a su encapsulado de montaje superficial y a sus especificaciones de rendimiento confiables.

¿Cuáles son las ventajas de usar el MOSFET OptiMOS™ BSZ042N06NSATMA1?

La serie OptiMOS™ ofrece bajo Rds On, alta fiabilidad y una eficiente disipación de energía, lo que ayuda a mejorar el rendimiento del circuito y la eficiencia energética, además de reducir los desafíos en la gestión térmica.

¿Puede el MOSFET BSZ042N06NSATMA1 operar en temperaturas extremas?

Sí, este MOSFET puede operar desde -55 °C hasta 150 °C (TJ), lo que lo hace apto para entornos exigentes donde la estabilidad térmica es fundamental.

¿Cómo puedo comprar y obtener soporte técnico para el MOSFET BSZ042N06NSATMA1?

Este MOSFET está disponible en stock para compra inmediata, en embalaje Tape & Reel. Para asistencia técnica o pedidos al por mayor, contacte a proveedores autorizados o directamente a Infineon para garantizar una correcta aplicación y soporte.

Aseguramiento de Calidad (QC)

DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.

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Prevención de falsificaciones y defectos

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