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Inspección visual y de embalaje
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IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
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IPP041N12N3GXKSA1
Descripción del producto
12803539
Número de pieza
IPP041N12N3GXKSA1-DGFabricante
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Descripción
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Inventario
200457 Pcs Nuevos Originales En Stock
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IPP041N12N3GXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 270µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP041
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
Hoja de datos HTML
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características del MOSFET de canal N Infineon OptiMOS™ (IPP041N12N3GXKSA1)?
Este MOSFET soporta una tensión de drenaje a fuente de 120V y una corriente de drenaje continua de 120A a 25°C, con una resistencia Rds On de 4.1mΩ, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación de alta potencia. Está diseñado con un encapsulado TO-220-3 para facilitar su montaje y ofrecer un rendimiento confiable.
¿Para qué aplicaciones es adecuado este MOSFET de 120V y 120A?
Este MOSFET es ideal para convertidores de potencia, accionamientos de motores y circuitos de conmutación de alta corriente, donde la eficiencia en la gestión de energía y el rendimiento térmico son críticos. Su diseño robusto asegura durabilidad en sistemas electrónicos exigentes.
¿Es compatible este MOSFET de canal N con diseños electrónicos existentes?
Sí, el IPP041N12N3GXKSA1 es compatible con voltajes de puerta estándar y cuenta con un umbral de puerta de 4V, lo que lo hace apto para diversos diseños de fuentes de alimentación conmutadas y sistemas embebidos.
¿Cuáles son los beneficios de elegir los MOSFETs de la serie OptiMOS™ de Infineon?
Los MOSFETs OptiMOS™ se reconocen por su baja resistencia Rds On, alta eficiencia y excelente rendimiento térmico, lo que ayuda a reducir la disipación de energía y mejorar la fiabilidad general del sistema.
¿Qué tipo de garantía y soporte ofrecen para este producto MOSFET?
Como producto activo y conforme a la normativa RoHS3, este MOSFET cuenta con soporte del fabricante y garantía de calidad. Se suministra directamente desde stock, garantizando disponibilidad rápida para sus proyectos.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
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