IRF7811AVTRPBF-1
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IRF7811AVTRPBF-1

Descripción del producto

12954714

Número de pieza

IRF7811AVTRPBF-1-DG

Fabricante

Infineon Technologies
IRF7811AVTRPBF-1

Descripción

MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO

Inventario

Solicitud de Cotización en Línea
N-Channel 30 V 10.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
FETs individuales, MOSFETs
IRF7811AVTRPBF-1 Hoja de datos
Cantidad
Mínimo 1

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IRF7811AVTRPBF-1 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Infineon Technologies

Embalaje -

Serie HEXFET®

Estado del producto Obsolete

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 10.8A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V

rds activados (máx.) @ id, vgs 14mOhm @ 15A, 4.5V

vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 26 nC @ 5 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 1801 pF @ 10 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor 8-SO

Paquete / Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Descargar IRF7811AVTRPBF-1 Especificaciones del producto (PDF)
Hoja de datos HTML

IRF7811AVTRPBF-1-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
448-IRF7811AVTRPBF-1TR

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
RS3E095BNGZETB
Rohm Semiconductor
2500
RS3E095BNGZETB-DG
0.29
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Certificación DIGI
ISO 209001_2015
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ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
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ESD Certificate
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