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SIB406EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6
2134 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 20 V 6A (Tc) 1.95W (Ta), 10W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
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SIB406EDK-T1-GE3
Descripción del producto
12786547
Número de pieza
SIB406EDK-T1-GE3-DGFabricante
Vishay Siliconix
SIB406EDK-T1-GE3
Descripción
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6Inventario
2134 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 20 V 6A (Tc) 1.95W (Ta), 10W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
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SIB406EDK-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
46mOhm @ 3.9A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.95W (Ta), 10W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SC-75-6
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-75-6
Número de producto base
SIB406
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
SIB406EDK
Hoja de datos HTML
SIB406EDK-T1-GE3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIB406EDK-T1-GE3CT
SIB406EDK-T1-GE3TR
SIB406EDK-T1-GE3DKR
SIB406EDKT1GE3
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
La rapidité d'expédition m'a vraiment impressionné, et leur équipe support est très à l'écoute.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las características clave del MOSFET Vishay SIB406EDK-T1-GE3?
El Vishay SIB406EDK-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de canal N con una tensión de drenaje a fuente de 20 V y una corriente continua máxima de drenaje de 6 A. Cuenta con un paquete PowerPAK® SC-75-6 de montaje superficial, una baja resistencia Rds(on) de 46 mΩ, y está diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia de alta eficiencia.
¿Es adecuado el Vishay SIB406EDK para entornos de alta temperatura?
Sí, este MOSFET está clasificado para operar entre -55 °C y 150 °C, lo que lo hace apto para condiciones de alta temperatura comúnmente encontradas en electrónica de potencia y aplicaciones automotrices.
¿Cuáles son las principales ventajas de usar el paquete PowerPAK® SC-75-6 en este MOSFET?
El paquete PowerPAK® SC-75-6 ofrece un excelente rendimiento térmico, tamaño compacto y facilidad de montaje en superficie, lo que ayuda a mejorar la disipación del calor y simplifica el diseño de la PCB en circuitos de potencia.
¿Se puede usar el Vishay SIB406EDK en dispositivos alimentados por batería?
Sí, con un voltaje de conducción máximo de 4.5 V y una baja resistencia en estado ON, este MOSFET es adecuado para aplicaciones alimentadas por batería que requieren conmutación eficiente y baja pérdida de energía.
¿Qué opciones de garantía y soporte están disponibles para este MOSFET de Vishay?
Como producto nuevo y original de Vishay en stock, el SIB406EDK cuenta con soporte y garantía estándar del fabricante. Por favor, contacte al proveedor para obtener información específica sobre servicio postventa y asistencia técnica.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
SIB406EDK-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIB406EDK-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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