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SIHP18N50C-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
4723 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 500 V 18A (Tc) 223W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SIHP18N50C-E3
Descripción del producto
12787692
Número de pieza
SIHP18N50C-E3-DGFabricante
Vishay Siliconix
SIHP18N50C-E3
Descripción
MOSFET N-CH 500V 18A TO220ABInventario
4723 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 500 V 18A (Tc) 223W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SIHP18N50C-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
270mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2942 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
223W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SIHP18
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Descargar SIHP18N50C-E3 Especificaciones del producto (PDF)
Hoja de datos HTML
SIHP18N50C-E3-DG
Hojas de datos
SIHP18N50C
Packaging Information
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SIHP18N50CE3
Piezas alternativas
NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características del MOSFET Vishay SIHP18N50C-E3?
El MOSFET Vishay SIHP18N50C-E3 es un componente de canal N con una tensión de bloqueo de 500V y una corriente de drenaje continua de 18A, diseñado para aplicaciones de conmutación de altas tensiones. Cuenta con una carcasa TO-220AB y soporta una disipación de energía elevada, hasta 223W.
¿Es adecuado el Vishay SIHP18N50C-E3 para conmutación de potencia de altas tensiones?
Sí, este MOSFET está especialmente diseñado para aplicaciones de altas tensiones, con una tensión de drenaje a fuente de 500V, lo que lo hace ideal para conmutación de potencia y usos industriales donde se requiere una alta tolerancia a voltajes elevados.
¿Cuál es el rango máximo de temperatura de operación para este MOSFET?
El Vishay SIHP18N50C-E3 puede funcionar en un rango de temperatura de -55°C a 150°C, garantizando un rendimiento confiable en diversas condiciones ambientales.
¿Es compatible el Vishay SIHP18N50C-E3 con fuentes de alimentación estándar tipo TO-220?
Sí, el MOSFET viene en una carcasa estándar TO-220AB, lo que lo hace compatible con métodos comunes de montaje por orificio y utilizado en fuentes de alimentación y sistemas que requieren conmutación de altas corrientes.
¿Vishay ofrece garantía o soporte para este producto MOSFET?
Vishay ofrece soporte confiable y garantiza la autenticidad del producto, estando el SIHP18N50C-E3 disponible en stock. Para detalles específicos de garantía, por favor contacte al proveedor o distribuidores autorizados.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
SIHP18N50C-E3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHP18N50C-E3 PCB symbols & footprints
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