SIR642DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (386 Calificaciones)

SIR642DP-T1-GE3

Descripción del producto

12786976

Número de pieza

SIR642DP-T1-GE3-DG

Fabricante

Vishay Siliconix
SIR642DP-T1-GE3

Descripción

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Inventario

Solicitud de Cotización en Línea
N-Channel 40 V 60A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
FETs individuales, MOSFETs
SIR642DP-T1-GE3 Hoja de datos
Cantidad
Mínimo 1

Compra e consulta

RFQ (Solicitud de Cotizaciones)

Puedes enviar tu consulta de RFQ directamente en la página de detalles del producto o en la página de RFQ. Nuestro equipo de ventas responderá a tu solicitud dentro de 24 horas.

Método de pago

Ofrecemos varios métodos de pago convenientes, incluyendo PayPal (recomendado para nuevos clientes), tarjetas de crédito y transferencias bancarias (T/T) en USD, EUR, HKD y otros.

AVISO IMPORTANTE

Después de enviar la solicitud de cotización (RFQ), recibirás un correo electrónico en tu bandeja de entrada sobre la recepción de tu consulta. Si no lo recibes, nuestra dirección de correo electrónico puede haber sido identificada incorrectamente como spam. Por favor, revisa tu carpeta de spam y agrega nuestra dirección de correo electrónico [email protected] a tu lista blanca para asegurarte de recibir nuestra cotización. Debido a la posibilidad de fluctuaciones en el inventario y los precios, nuestro equipo de ventas necesita reconfirmar tu consulta o pedido y enviarte cualquier actualización por correo electrónico de manera oportuna. Si tienes alguna otra pregunta o necesitas ayuda adicional, no dudes en hacérnoslo saber.

Solicitar Cotización(Envía mañana)
Cantidad
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

SIR642DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje -

Serie TrenchFET®

Estado del producto Obsolete

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 60A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 2.4mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 84 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 4155 pF @ 20 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PowerPAK® SO-8

Paquete / Caja PowerPAK® SO-8

Número de producto base SIR642

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Descargar SIR642DP-T1-GE3 Especificaciones del producto (PDF)
Hojas de datos

SIR462DP
Hoja de datos HTML

SIR642DP-T1-GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIR642DP-T1-GE3TR
SIR642DPT1GE3
SIR642DP-T1-GE3CT
SIR642DP-T1-GE3DKR

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
BSC022N04LSATMA1
Infineon Technologies
18064
BSC022N04LSATMA1-DG
0.52
MFR Recommended
SIR470DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
6457
SIR470DP-T1-GE3-DG
1.11
MFR Recommended
Certificación DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Productos relacionados
Blogs y Publicaciones
Understanding the ALE7PB05 Relay: Features, Applications, and Where to Buy
Jun 24 2025
Latest Advancements in Integrated Circuit Technology: Analysis of Five Cutting-Edge Technologies
Jan 18 2025
Advances in Inductor Technology: Innovative Applications of LTCC and High-Frequency Resonant Converters
Jan 18 2025