SQM100N10-10_GE3 Vishay Siliconix
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SQM100N10-10_GE3

Descripción del producto

12787524

Número de pieza

SQM100N10-10_GE3-DG
SQM100N10-10_GE3

Descripción

MOSFET N-CH 100V 100A TO263

Inventario

217 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 100A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Cantidad
Mínimo 1

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SQM100N10-10_GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET®

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 100A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 10.5mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 185 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 8050 pF @ 25 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 375W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)

Grado Automotive

Calificación AEC-Q101

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor TO-263 (D2PAK)

Paquete / Caja TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Número de producto base SQM100

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SQM100N10-10

Hoja de datos HTML

SQM100N10-10_GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
800
Otros nombres
SQM100N10-10_GE3-DG
SQM100N10-10_GE3CT
SQM100N10-10-GE3
SQM100N10-10-GE3-DG
SQM100N10-10_GE3TR
SQM100N10-10_GE3DKR

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
IXFA130N10T2
IXYS
Solicitud de Cotización en Línea
IXFA130N10T2-DG
2.41
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