Prevención de falsificaciones y defectos
Inspección visual y de embalaje
Verificación del rendimiento eléctrico
Correo electrónico de servicio:
[email protected]
>
SIZ704DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 12A 6POWERPAIR
2000 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 30V 12A, 16A 20W, 30W Surface Mount 6-PowerPair™
Solicitar Cotización
(Envía mañana)
*Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
5.0 / 5.0
- (457 Calificaciones)
SIZ704DT-T1-GE3
Descripción del producto
13006072
Número de pieza
SIZ704DT-T1-GE3-DGFabricante
Vishay Siliconix
SIZ704DT-T1-GE3
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 12A 6POWERPAIRInventario
2000 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 30V 12A, 16A 20W, 30W Surface Mount 6-PowerPair™
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
Compra e consulta
Garantía y Devoluciones
Cómo hacer un pedido
Envío y Entrega
Aseguramiento de Calidad
365 - Garantía de Calidad Diaria - Cada pieza completamente respaldada.
Reembolso o cambio en 90 días - ¿Piezas defectuosas? Sin complicaciones.
Stock limitado, Haz tu pedido ahora - Obtén piezas confiables sin preocupaciones.
Envío Global y Embalaje Seguro
Entrega mundial en 3-5 días laborables
Empaquetado Antiestático 100% ESD
Seguimiento en Tiempo Real para Cada Pedido
Pago seguro y flexible
Tarjeta de crédito, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Transferencia telegráfica (T/T) y más
Todos los pagos encriptados por seguridad
SIZ704DT-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Last Time Buy
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A, 16A
rds activados (máx.) @ id, vgs
24mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
435pF @ 15V
Potencia - Máx.
20W, 30W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-PowerPair™
Paquete de dispositivos del proveedor
6-PowerPair™
Número de producto base
SIZ704
Hoja de Datos y Documentos
Hoja de datos HTML
SIZ704DT-T1-GE3-DG
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
Une expérience d'achat fluide, rapide et économique. Je recommande vivement.
Dec 02, 2025
Order processing was seamless, and I was kept informed about the shipment timeline at all times.
Dec 02, 2025
I appreciated the personalized recommendations based on my browsing history.
Dec 02, 2025
Their support team has been a dependable resource whenever I needed assistance.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics impresses me with their consistent quality control and dependable products.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características de la matriz de MOSFET Vishay SIZ704DT-T1-GE3?
La Vishay SIZ704DT-T1-GE3 es una matriz de MOSFET de 2 canales N con un voltaje de drenaje a fuente máximo de 30 V, capaz de manejar corrientes de drenaje continuas de hasta 12 A, con una resistencia Rds On baja de 24 mΩ, diseñada para aplicaciones eficientes de conmutación de potencia.
¿Es la matriz de MOSFET Vishay SIZ704DT-T1-GE3 adecuada para circuitos de alta corriente?
Sí, esta matriz de MOSFET soporta cargas de alta corriente, con corrientes continuas de drenaje de hasta 12 A y potencias de hasta 30 W, lo que la hace apropiada para gestión de energía y control de motores.
¿Cuál es el rango de temperatura de funcionamiento de la matriz de MOSFET SIZ704DT-T1-GE3?
El dispositivo está clasificado para operar en un rango de temperatura de -55°C a 150°C, garantizando un rendimiento fiable en diversas condiciones ambientales.
¿Qué tan compatible es la matriz de MOSFET Vishay con diseños de PCB de montaje superficial?
La SIZ704DT-T1-GE3 presenta un diseño de montaje superficial con el encapsulado 6-PowerPair™, ideal para diseños compactos y de alta densidad en PCB, así como para procesos de ensamblaje automatizado.
¿Cuáles son los beneficios de elegir una matriz de MOSFET como la Vishay SIZ704DT-T1-GE3 en lugar de MOSFET individuales?
Usar una matriz de MOSFET simplifica el diseño del circuito, reduce la complejidad del ensamblaje y asegura características coincidentes en los dispositivos, mejorando la eficiencia y fiabilidad en aplicaciones de conmutación de potencia.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
SIZ704DT-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIZ704DT-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
