FDV302P
onsemi
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
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FDV302P

Descripción del producto

12850587

Número de pieza

FDV302P-DG

Fabricante

onsemi
FDV302P

Descripción

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23

Inventario

126207 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 25 V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Cantidad
Mínimo 1

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FDV302P Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante onsemi

Embalaje Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Serie -

Estado del producto Obsolete

Tipo FET P-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 120mA (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 2.7V, 4.5V

rds activados (máx.) @ id, vgs 10Ohm @ 200mA, 4.5V

vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 0.31 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.) -8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 11 pF @ 10 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 350mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor SOT-23-3

Paquete / Caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Número de producto base FDV30

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

FDV302P Datasheet

Hoja de datos HTML

FDV302P-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
FDV302PTR
FDV302PCT
2156-FDV302P-OS
FDV302PCT-NDR
2832-FDV302P-488
FDV302PTR-NDR
FDV302PDKR
2832-FDV302PTR

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
FDV304P
onsemi
435300
FDV304P-DG
0.0450
Direct
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Diodes Incorporated
3300
DMG302PU-7-DG
0.0878
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Diodes Incorporated
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características y especificaciones del MOSFET FDV302P?
El FDV302P es un MOSFET de canal P con una tensión de drenaje a fuente de 25 V y una corriente continua de drenaje de 120 mA. Está diseñado para aplicaciones de montaje superficial en encapsulado SOT-23. Funciona en un rango de temperatura de -55°C a 150°C y destaca por su baja carga de puerta y resistencia Rds On, lo que lo hace adecuado para diversas aplicaciones de conmutación.
¿Cuáles son los usos y aplicaciones comunes del MOSFET de canal P FDV302P?
Este MOSFET se utiliza habitualmente en conmutación de cargas, gestión de energía y protección contra polaridad inversa en dispositivos electrónicos compactos. Su baja resistencia en estado encendido y su voltaje de conmutación a nivel lógico lo convierten en una opción ideal para circuitos de conmutación eficiente y control de bajo voltaje.
¿Es compatible el FDV302P con componentes electrónicos y diseños de circuitos estándar?
Sí, el FDV302P es compatible con diseños típicos de placas de circuito impreso (PCB) de montaje superficial utilizando encapsulados SOT-23. Su rango de voltaje de conducción (de 2.7 V a 4.5 V) se ajusta bien a la mayoría de los circuitos de control a nivel lógico, garantizando una integración sencilla en sus proyectos.
¿Cuáles son las ventajas de usar el MOSFET FDV302P en comparación con otros dispositivos similares?
El FDV302P ofrece una resistencia Rds On baja, carga de puerta reducida y un formato compacto en SOT-23, lo que mejora la eficiencia y permite ahorrar espacio en las placas de circuito. Además, su operación en altas temperaturas y la conformidad con RoHS lo convierten en una opción confiable para aplicaciones exigentes.
¿El FDV302P cuenta con garantía o soporte postventa, y cómo puedo adquirirlo?
El FDV302P está disponible en stock como un componente nuevo y original, cumpliendo con RoHS. Puede adquirirlo a través de distribuidores autorizados de componentes electrónicos. Para garantías y soporte, comuníquese directamente con el proveedor para obtener información detallada sobre los servicios postventa.
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