NTJD5121NT1G
NTJD5121NT1G
onsemi
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
125300 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Solicitar Cotización (Envía mañana)
*Cantidad
Mínimo 1
NTJD5121NT1G onsemi
5.0 / 5.0 - (262 Calificaciones)

NTJD5121NT1G

Descripción del producto

12840377

Número de pieza

NTJD5121NT1G-DG

Fabricante

onsemi
NTJD5121NT1G

Descripción

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

Inventario

125300 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Cantidad
Mínimo 1

Compra e consulta

Garantía de calidad y devoluciones

365 - Garantía de Calidad Diaria - Cada pieza completamente respaldada.

Reembolso o cambio en 90 días - ¿Piezas defectuosas? Sin complicaciones.

Stock limitado, Haz tu pedido ahora - Obtén piezas confiables sin preocupaciones.

Envío Global y Embalaje Seguro

Entrega mundial en 3-5 días laborables

Empaquetado Antiestático 100% ESD

Seguimiento en Tiempo Real para Cada Pedido

Pago seguro y flexible

Tarjeta de crédito, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Transferencia telegráfica (T/T) y más

Todos los pagos encriptados por seguridad

En stock (Todos los precios son en USD)
  • CANT Precio objetivo Precio Total
  • 1 0.0400 0.0400
Mejor precio mediante Solicitud de Cotización en Línea
Solicitar Cotización(Envía mañana)
Cantidad
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

NTJD5121NT1G Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante onsemi

Embalaje Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Serie -

Estado del producto Active

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Configuración 2 N-Channel (Dual)

Función FET Logic Level Gate

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 295mA

rds activados (máx.) @ id, vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 0.9nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 26pF @ 20V

Potencia - Máx. 250mW

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete / Caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Paquete de dispositivos del proveedor SC-88/SC70-6/SOT-363

Número de producto base NTJD5121

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

NTJD5121N, NVJD5121N

Hoja de datos HTML

NTJD5121NT1G-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2832-NTJD5121NT1GTR
NTJD5121NT1GOSTR
NTJD5121NT1G-DG
NTJD5121NT1GOSDKR
ONSONSNTJD5121NT1G
NTJD5121NT1GOSCT
2156-NTJD5121NT1G-OS

Reseñas

CielB***Serein
Dec 02, 2025
4.9
Le processus d'achat en ligne est simple et sécurisé, ce qui me donne confiance lors de chaque transaction.
Peac***lMind
Dec 02, 2025
5.0
Every purchase reinforces my trust in DiGi Electronics’ dedication to quality.
Mo***ap
Dec 02, 2025
5.0
The quality control at DiGi Electronics is outstanding, ensuring only the best products reach us.
Peace***Spirit
Dec 02, 2025
5.0
The pricing advantage makes DiGi Electronics a smart choice for quality-conscious buyers.
Publicar Evaluación
* Valoración del producto
(Normal / Preferiblemente / Sobresaliente)
* Mensaje de Evaluación
Please enter your review message.
Por favor, publique comentarios honestos y no publique comentarios ilegales.

Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características de la matriz de MOSFET NTJD5121NT1G?
El NTJD5121NT1G es una matriz dual de MOSFET de canal N con un voltaje máximo de drenaje a fuente de 60V y una corriente continua de drenaje de 295mA. Cuenta con control de puerta a nivel lógico y un paquete compacto de montaje superficial SOT-363, adecuado para diseños de alta densidad.
¿Cuáles son las aplicaciones comunes de esta matriz dual de MOSFET de canal N?
Esta matriz de MOSFET es ideal para conmutación de bajo voltaje, conmutación de carga y gestión de energía en electrónica de consumo, automoción y aplicaciones industriales donde se requiere conmutación eficiente a alta velocidad.
¿Es compatible la NTJD5121NT1G con los diseños estándar de PCB de montaje superficial?
Sí, viene en un paquete SC-88/SOT-363, que es un paquete estándar de montaje superficial compatible con la mayoría de los diseños de PCB para una integración sencilla y montaje fiable.
¿Cuáles son los beneficios de elegir esta matriz de MOSFET frente a MOSFET discretos?
Utilizar esta matriz dual de MOSFET simplifica el diseño del circuito, reduce el espacio en la PCB y ofrece un rendimiento consistente con funciones integradas, siendo ideal para aplicaciones en dispositivos electrónicos compactos.
¿Cumple la NTJD5121NT1G con las normas de protección ambiental y seguridad?
Sí, esta matriz de MOSFET cumple con RoHS3, no afecta las regulaciones REACH y tiene un nivel de sensibilidad a la humedad 1, garantizando el cumplimiento de estándares ambientales y de seguridad para componentes electrónicos.
Certificación DiGi
Blogs y Publicaciones

NTJD5121NT1G CAD Models

productDetail
Please log in first.
¿Aún no tienes cuenta? Registrarse